碳化硅具備比硅更高的帶隙寬度、更高的熱導(dǎo)率、更強(qiáng)的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的電子遷移率。這些特性使得碳化硅芯片在高溫、高壓和高頻率下都能表現(xiàn)出卓越的性能，這對(duì)于電力電子、汽車、航空航天和許多其他行業(yè)來(lái)說(shuō)，具有革命性的意義。

高溫穩(wěn)定性：碳化硅能在高達(dá)600℃的溫度下穩(wěn)定工作，而傳統(tǒng)硅芯片的工作溫度上限一般不超過(guò)150℃。?

高效能源轉(zhuǎn)換：在電力電子領(lǐng)域，碳化硅器件能提供更高的效率，減少能量損失，尤其在高壓和大電流應(yīng)用中表現(xiàn)突出。?